參數(shù)資料
型號： NAND01GR4B2BZA1F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
封裝： 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-63
文件頁數(shù)： 36/63頁
文件大?。?/td> 684K
代理商： NAND01GR4B2BZA1F
NAND01G-B2B, NAND02G-B2C
Program and Erase Times and Endurance cycles
41/63
9
Program and Erase Times and Endurance cycles
The Program and Erase times and the number of Program/ Erase cycles per block are
shown in Table 18.
Table 18.
Program, Erase Times and Program Erase Endurance Cycles
Parameters
NAND Flash
Unit
Min
Typ
Max
Page Program Time
200
700
s
Block Erase Time
2
3ms
Program/Erase Cycles (per block)
100,000
cycles
Data Retention
10
years
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND08GR4B3AZB6 512M X 16 FLASH 1.8V PROM, 25000 ns, PBGA63
NAND256W4A2AZA6E 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55
NCP303LSN41T1 1-CHANNEL POWER SUPPLY SUPPORT CKT, PDSO5
NCS6416DWG 8-CHANNEL, VIDEO MULTIPLEXER, PDSO20
NCS6S4803L5C 1-OUTPUT 5 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE
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參數(shù)描述
NAND01GR4B2BZA6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2BZA6E 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZA6F 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory
NAND01GR4B2BZB1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
NAND01GR4B2BZB6 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
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