參數(shù)資料
型號： MTD10N10ELT4G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TMOS E−FET Power Field Effect Transistor DPAK for Surface Mount
中文描述： 10 A, 100 V, 0.22 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： LEAD FREE, CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： MTD10N10ELT4G
MTD10N10EL
http://onsemi.com
6
SAFE OPERATING AREA
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
t, TIME (ms)
Figure 13. Thermal Response
r
T
R
θ
JC
(t) = r(t) R
θ
JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
R
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
di/dt
t
rr
t
a
t
p
I
S
0.25 I
S
TIME
I
S
t
b
0.00001
0.0001
0.01
0.001
0.1
1.0
10
0.01
0.1
0.2
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.05
1.0
D = 0.5
,
A
E
T
J
, STARTING JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
A
I
D
= 10A
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
100
10
1
0.1
0.1
1
10
100
100 s
10 s
1 ms
10 ms
dc
V
DS
, DRAINTOSOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
R
DS(on)
LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
V
GS
= 20 V
SINGLE PULSE
T
C
= 25
°
C
40
50
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PDF描述
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