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參數資料
| 型號： | MT4LC8M8P4TG-6 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DRAM |
| 中文描述： | 內存 |
| 文件頁數： | 20/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | MT4LC8M8P4TG-6 |
20
8 Meg x 8 FPM DRAM
D19_2.p65
–
Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
8 MEG x 8
FPM DRAM
32-PIN PLASTIC TSOP (400 mil)
0.10 -0.05
11.76 ±0.10
1.20
MAX
0.50 ±0.10
GAGE PLANE
0.25
SEE DETAIL A
0.10
0.15 -0.02
20.96 ±0.08
PIN 1 ID
DETAIL A
0.95
10.16 ±0.08
0.43 -0.13
0.80 TYP
1.27
TYP
NOTE:
1. All dimensions in millimetersMAXor typical where noted.
MIN
2. Package width and length do not include mold protrusion; allowable mold protrusion is .25mm per side.
8000 S. Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83707-0006, Tel: 208-368-3900
E-mail: prodmktg@micron.com, Internet: http://www.micron.com, Customer Comment Line: 800-932-4992
Micron is a registered trademark of Micron Technology, Inc.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LDT464AG | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT55L1MY18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
| MT55V1MV18P | 16Mb: 1 Meg x 18, Flow-Through ZBT SRAM(16Mb流通式同步靜態(tài)存儲器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MT4LCM16E5DJ-6 | 制造商:. 功能描述: |
| MT4LD164AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LD164AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LD164AG-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Fast Page Mode DRAM Module |
| MT4LD164AG-7X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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