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參數(shù)資料
| 型號： | MT49H32M9CFM-xx |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 288Mb SIO REDUCED LATENCY(RLDRAM II) |
| 中文描述： | 288Mb二氧化硅約化延遲（延遲DRAM二） |
| 文件頁數(shù)： | 44/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1117K |
| 代理商： | MT49H32M9CFM-XX |
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16 MEG x 18, 32 MEG x 9
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
, HSTL, SIO, RLDRAM II
pdf: 09005aef80a41b59/zip: 09005aef811ba111
MT49H8M18C_2.fm - Rev. F 11/04 EN
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
44
8000 S. Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83707-0006, Tel: 208-368-3900
E-mail: prodmktg@micron.com, Internet: http://www.micron.com, Customer Comment Line: 800-932-4992
Micron, the M logo, and the Micron logo are trademarks and/or service marks of Micron Technology, Inc.
RLDRAM is a trademark of Infineon Technologies AG in various countries, and is used by Micron under license from Infineon.
All other trademarks are the property of their respective owners.
Figure 43: 144-Ball FBGA
NOTE:
1. All dimensions in millimeters.
Data Sheet Designation
No Marking:
This data sheet contains minimum and maximum limits specified over the complete power supply
and temperature range for production devices. Although considered final, these specifications are subject to
change, as further product development and data characterization sometimes occur.
BALL A1 ID
17.90 CTR
0.555 ±0.050
0.125 ±0.025
0.39 ±0.05
BALL A1 ID
0.10 C
C
SEATING PLANE
10o TYP
0.05 MAX
10.70 CTR
11.00 ±0.10
4.40 ±0.05
5.50 ±0.05
8.80
2.40 CTR
0.80 TYP
1.00 TYP
9.25 ±0.05
8.50 ±0.05
17.00
18.50 ±0.10
144X
0.45
DIMENSIONS APPLY TO SOLDER
BALLS POST REFLOW. THE
PRE-REFLOW BALL DIAMETER IS
0.50MM ON A 0.40MM SMD BALL PAD.
BALL A12
BALL A1
MOLD COMPOUND: EPOXY NOVOLAC
SUBSTRATE: PLASTIC LAMINATE
SOLDER BALL MATERIAL: EUTECTIC 62% Sn, 36% Pb, 2%Ag
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4C1004J | 4 Meg x 1 FPM DRAM(4 M x 1快速頁面模式動態(tài)RAM) |
| MT4C4001STG-6 | standard or self refresh |
| MT4C4001STG-7 | standard or self refresh |
| MT4C4001STG-8 | standard or self refresh |
| MT4C4001JDJ-6 | standard or self refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT49H32M9CHU-25 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM CHIP RLDRAM 288MBIT 1.8V 144FBGA - Trays |
| MT49H32M9CHU-33 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX9 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Trays |
| MT49H32M9CHU-5 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32MX9 RLDRAM PLASTIC FBGA 1.8V SEPARATE I/O 8 BANKS 1.8V I/O - Trays |
| MT49H32M9FM-25 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| MT49H32M9FM-25 TR | 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設(shè)備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI |
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