參數(shù)資料
型號： MRF5P21045NR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的側向
文件頁數(shù)： 8/11頁
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代理商： MRF5P21045NR1
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21045NR1
Z
o
= 10
Ω
Z
load
Z
source
f = 2220
MHz
f = 2060
MHz
f = 2060
MHz
f = 2220
MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA, P
out
= 10 W Avg.
f
MHz
Z
source
Z
load
2060
8.01 - j6.68
4.38 - j4.62
2080
7.66 - j6.94
4.27 - j4.43
2100
7.26 - j7.20
4.12 - j4.04
2120
6.76 - j7.45
3.98 - j3.90
2140
6.28 - j7.71
3.81 - j3.69
2160
5.82 - j7.78
3.73 - j3.50
2180
5.37 - j7.85
3.65 - j3.30
2200
4.92 - j7.85
3.57 - j3.11
2220
4.46 - j7.97
3.49 - j2.92
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 17. Series Equivalent Source and Load Impedance — Single-Ended Configuration
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關PDF資料
PDF描述
MRF5S19060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19090HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130HR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
MRF5S19130SR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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