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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5P21045NR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 423K |
| 代理商： | MRF5P21045NR1 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21045NR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 9. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
20
0.1
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 45 W (PEP), I
DQ
= 500 mA
TwoTone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
30
40
50
1
100
I
Figure 10. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
40
54
53
P6dB = 47.74 dBm (74.82 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
52
51
46
45
42
30
34
32
36
Actual
Ideal
P1dB = 47.78 dBm (60.1 W)
50
49
44
43
48
47
38
28
P
o
,
I
Figure 11. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3, Power Gain
and Drain Efficiency versus Output Power
5
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
40
10
20
30
30
40
10
50
1
10
100
20
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2Carrier WCDMA, 10 MHz
Carrier Spacing, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB
@ 0.01% Probability (CCDF)
η
D
,
p
,
100
10
17
0.1
0
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 12. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 500 mA
f = 2140 MHz
10
1
16
15
14
13
12
50
40
30
20
10
η
D
,
G
p
,
T
C
= 30 C
IM3
η
D
85 C
ACPR
30 C
25 C
25 C
G
ps
T
C
= 30 C
30 C
85 C
25 C
25 C
85 C
IM3L
IM3U
IM5L
IM5U
IM7U
IM7L
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 500 mA
Pulsed CW, 12
μ
sec(on), 1% Duty Cycle
f = 2140 MHz
P3dB = 48.38 dBm (68.8 W)
50
15
25
35
45
15
25
35
45
55
25 C
85 C
30 C
25 C
30 C
11
60
29
31
33
35
37
39
55
η
D
G
ps
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF5S19060MBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF5S19090HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S19130HR3 | Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. |
| MRF5S19130SR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF5S19130R3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF5P21180HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5P21180HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5P21180HR6_08 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5P21180R6 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
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