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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5P21045NR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 423K |
| 代理商： | MRF5P21045NR1 |
MRF5P21045NR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
G
p
,
I
I
20
8
11
14
17
I
I
22
10
13
16
19
2220
2060
IRL
G
ps
ACPR
IM3
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 5. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ P
out
= 10 Watts Avg.
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
13.4
15.2
15
44
32
28
24
20
16
32
36
40
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
@ P
out
= 20 Watts Avg.
Figure 7. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 8. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
11
17
1
I
DQ
= 800 mA
650 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
15
13
12
10
40
10
1
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
10
20
30
100
60
50
η
D
,
E
η
D
η
D
,
E
G
p
,
I
I
14.8
14.6
14.4
14.2
14
13.8
13.6
28
2220
2060
2200
2180
2160
2140
2120
2100
2080
13
14.8
34
46
42
38
34
30
22
26
30
14.4
14.2
14
13.8
13.6
13.4
13.2
18
14.6
IRL
G
ps
ACPR
IM3
η
D
16
14
I
DQ
= 200 mA
650 mA
800 mA
500 mA
350 mA
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements
7
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 10 W (Avg.)
I
DQ
= 500 mA, 2Carrier WCDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB @
0.01% Probability (CCDF)
5
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 20 W (Avg.)
I
DQ
= 500 mA, 2Carrier WCDMA
10 MHz Carrier Spacing, 3.84 MHz
Channel Bandwidth, PAR = 8.5 dB @
0.01% Probability (CCDF)
300
500 mA
350 mA
200 mA
70
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
TwoTone Measurements
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
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| MRF5P21180HR6 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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