參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5P21045NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大小： 423K
代理商： MRF5P21045NR1
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P21045NR1
Figure 3. MRF5P21045NR1 Test Circuit Component Layout — Single-Ended Configuration
C
R1
MRF5P21045N
Rev. 0
R2
C1
C2
C7
C8
C9
R3
C4 C5
C3
C6
C10
C11
C12
C13
C14 C15
4
2
2
Singleended
Quadrature combined
Doherty
Pushpull
4
4
Figure 4.
Possible Circuit Topologies
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S19060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
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MRF5S19130SR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130R3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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