參數(shù)資料
型號： MMBT589LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： MMBT589LT1
High Current Surface Mount
PNP Silicon Switching Transistor
for Load Management
in Portable Applications
MAXIMUM RATINGS (TA = 25
°
C)
Rating
Symbol
Max
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
ICM
–30
Vdc
Collector–Base Voltage
–50
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current – Continuous
–1.0
Adc
Collector Current – Peak
–2.0
A
DEVICE MARKING
MMBT589LT1 = G3
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
PD (1)
Max
Unit
Total Device Dissipation
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
310
2.5
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA (1)
PD (2)
403
°
C/W
Total Device Dissipation
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
710
5.7
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RJA (2)
PDsingle (3)
176
°
C/W
Total Device Dissipation
(Single Pulse < 10 sec.)
575
mW
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
–55 to +150
°
C
1. FR–4 @ Minimum Pad
2. FR–4 @ 1.0 X 1.0 inch Pad
3. ref: Figure 8
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
August, 2001 – Rev. 1
1
Publication Order Number:
MMBT589LT1/D
MMBT589LT1
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
30 VOLTS
2.0 AMPS
PNP TRANSISTOR
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PDF描述
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MMBT589LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT589LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 30V Switching PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5962 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT5962_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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