參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTH10LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： VHF/UHF Transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 52K
代理商： MMBTH10LT1
Semiconductor Components Industries, LLC, 2003
December, 2003 Rev. 2
1
Publication Order Number:
MMBTH10LT1/D
MMBTH10LT1,
MMBTH104LT1
Preferred Devices
VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
Device Marking: 3EM
Device Marking:
Features
PbFree Package May be Available. The GSuffix Denotes a
PbFree Lead Finish
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector-Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
25
Vdc
Collector-Base Voltage
30
Vdc
Emitter-Base Voltage
3.0
Vdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation
FR5 Board (Note 1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance,
Junction to Ambient (Note 1)
R
θ
JA
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate (Note 2)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance,
Junction to Ambient (Note 2)
R
θ
JA
417
°
C/W
Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
55 to
+150
°
C
1. FR5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina
Device
Package
Shipping
ORDERING INFORMATION
MMBTH10LT1
SOT23
CASE 318
SOT23
STYLE 6
3000/Tape & Reel
Preferred
devices are recommended choices for future use
and best overall value.
MMBTH104LT1
SOT23
3000/Tape & Reel
1
2
3
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
http://onsemi.com
MMBTH10LT1G
SOT23
(PbFree)
3000/Tape & Reel
For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBV2109LT1 Silicon Tuning Diodes
MMBV2109LT1 Silicon Tuning Diode
MMBZ5235BS-7-F surface mount silicon Zener diodes
MMBZ5233BS-7-F surface mount silicon Zener diodes
MMBZ5234BS-7-F surface mount silicon Zener diodes
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參數(shù)描述
MMBTH10LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25V VHF Mixer NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MMBTH10LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS VHF XSTR NPN 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT723 VHF NPN TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBTH10RG 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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