參數(shù)資料
型號(hào): MMBT2222ATTD
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: General Purpose Transistor
中文描述: 通用晶體管
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 124K
代理商: MMBT2222ATTD
MMBT2222ATT1
http://onsemi.com
3
Figure 1. TurnOn Time
Figure 2. TurnOff Time
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
Scope rise time < 4 ns
*Total shunt capacitance of test jig, connectors, and oscilloscope.
+16 V
2 V
< 2 ns
0
1.0 to 100
μ
s,
DUTY CYCLE
2.0%
1 k
+30 V
200
C
S
* < 10 pF
+16 V
14 V
0
< 20 ns
1.0 to 100
μ
s,
DUTY CYCLE
2.0%
1 k
+30 V
200
C
S
* < 10 pF
4 V
1N914
1000
700
10
20
30
50
70
100
200
300
500
1.0 k
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
200
300
500 700
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain
h
V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.005
0.01
0.02
0.03
0.05
0.1
0.2
I
B
, BASE CURRENT (mA)
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
5.0
10
20
30
50
Figure 4. Collector Saturation Region
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
25
°
C
55
°
C
I
C
= 1.0 mA
10 mA
150 mA
500 mA
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3906L General Purpose Transistor(NPN Silicon)
MMBT3904L General Purpose Transistor(NPN Silicon)
MMBT589LT1 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor
MMBTA28-7 MicroPower Single-Supply Operational Amplifier MicroAmplifier(TM) Series 14-TSSOP
MMBTA28 MicroPower Single-Supply Operational Amplifier MicroAmplifier(TM) Series 14-TSSOP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2222AT-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222AW 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:NPN Silicon General Purpose Transistor
MMBT2222AW_10 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:NPN GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT2222AWT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 75V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222AWT1_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor