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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MD80C32-20/883:D |
| 廠商： | ATMEL CORP |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, 20 MHz, MICROCONTROLLER, CDIP40 |
| 封裝： | CERAMIC, DIP-40 |
| 文件頁數(shù)： | 211/395頁 |
| 文件大?。?/td> | 9022K |
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289
ATmega64A [DATASHEET]
8160D–AVR–02/2013
As an alternative to using the RESET signal, PEN can be held low during Power-on Reset while SCK is set
to “0”. In this case, only the PEN value at Power-on Reset is important. If the programmer cannot guarantee
that SCK is held low during Power-up, the PEN method cannot be used. The device must be powered down
in order to commence normal operation when using this method.
2.
Wait for at least 20 ms and enable SPI Serial Programming by sending the Programming Enable serial
instruction to pin MOSI.
3.
The SPI Serial Programming instructions will not work if the communication is out of synchronization. When
in sync. the second byte (0x53), will echo back when issuing the third byte of the Programming Enable
instruction. Whether the echo is correct or not, all four bytes of the instruction must be transmitted. If the
0x53 did not echo back, give RESET a positive pulse and issue a new Programming Enable command.
4.
The Flash is programmed one page at a time. The Page size is found in Table 28-10 on page 278. The
memory page is loaded one byte at a time by supplying the 7 LSB of the address and data together with the
Load Program Memory Page instruction. To ensure correct loading of the page, the data low byte must be
loaded before data high byte is applied for given address. The Program Memory Page is stored by loading
the Write Program Memory Page instruction with the 8 MSB of the address. If polling is not used, the user
must wait at least t
WD_FLASH before issuing the next page. (See Table 28-14). Accessing the SPI Serial Pro-
gramming interface before the Flash write operation completes can result in incorrect programming.
5.
The EEPROM array is programmed one byte at a time by supplying the address and data together with the
appropriate Write instruction. An EEPROM memory location is first automatically erased before new data is
written. If polling is not used, the user must wait at least t
WD_EEPROM before issuing the next byte. (See Table
28-14).
6.
Any memory location can be verified by using the Read instruction which returns the content at the selected
address at serial output MISO.
7.
At the end of the programming session, RESET can be set high to commence normal operation.
8.
Power-off sequence (if needed):
Set RESET to “1”.
Turn V
CC power off.
Note:
If other commands that polling (read) are applied before any write operation (FLASH, EEPROM, Lock bits, Fuses) is
completed, may result in incorrect programming.
28.8.2
Data Polling Flash
When a page is being programmed into the Flash, reading an address location within the page being programmed
will give the value 0xFF. At the time the device is ready for a new page, the programmed value will read correctly.
This is used to determine when the next page can be written. Note that the entire page is written simultaneously
and any address within the page can be used for polling. Data polling of the Flash will not work for the value 0xFF,
so when programming this value, the user will have to wait for at least t
WD_FLASH before programming the next
page. As a chip -erased device contains 0xFF in all locations, programming of addresses that are meant to contain
0xFF, can be skipped. See Table 28-14 for t
WD_FLASH value.
28.8.3
Data Polling EEPROM
When a new byte has been written and is being programmed into EEPROM, reading the address location being
programmed will give the value 0xFF. At the time the device is ready for a new byte, the programmed value will
read correctly. This is used to determine when the next byte can be written. This will not work for the value 0xFF,
but the user should have the following in mind: As a chip erased device contains 0xFF in all locations, program-
ming of addresses that are meant to contain 0xFF, can be skipped. This does not apply if the EEPROM is re-
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