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參數(shù)資料
| 型號： | MCIMX535DVV1B |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA529 |
| 封裝： | 19 X 19 MM, 0.80, MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TEPBGA-529 |
| 文件頁數(shù)： | 134/204頁 |
| 文件大?。?/td> | 5605K |
| 代理商： | MCIMX535DVV1B |
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Electrical Characteristics
i.MX53xD Applications Processors for Consumer Products, Rev. 3
Freescale Semiconductor
35
4.3.5
LVDS I/O DC Parameters
The LVDS interface complies with TIA/EIA 644-A standard. See TIA/EIA STANDARD 644-A,
“Electrical Characteristics of Low Voltage Differential Signaling (LVDS) Interface Circuits” for details.
Table 17 shows the Low Voltage Differential Signaling (LVDS) DC electrical characteristics.
4.4
Output Buffer Impedance Characteristics
This section defines the I/O Impedance parameters of the i.MX53xD processor for the following I/O
types:
General Purpose I/O (GPIO)
Double Data Rate 3 I/O (DDR3) for DDR2/LVDDR2, LPDDR2, and DDR3 modes
Ultra High Voltage I/O (UHVIO)
LVDS I/O
NOTE
Output driver impedance is measured with “l(fā)ong” transmission line of
impedance Ztl attached to I/O pad and incident wave launched into
transmission lime. Rpu/Rpd and Ztl form a voltage divider that defines
specific voltage of incident wave relative to OVDD. Output driver
impedance is calculated from this voltage divider (see Figure 4).
1 Overshoot and undershoot conditions (transitions above OVDD and below GND) on switching pads must be held below 0.6 V,
and the duration of the overshoot/undershoot must not exceed 10% of the system clock cycle. Overshoot/undershoot must
be controlled through printed circuit board layout, transmission line impedance matching, signal line termination, or other
methods. Non-compliance to this specification may affect device reliability or cause permanent damage to the device.
2
To maintain a valid level, the transitioning edge of the input must sustain a constant slew rate (monotonic) from the current
DC level to the target DC level, VIL or VIH. Monotonic input transition time is from 0.1 ns to 1 s. VIL and VIH do not apply
when hysteresis is enabled.
3 Hysteresis of 250 mV is guaranteed over all operating conditions when hysteresis is enabled.
4 Use an off-chip pull resistor of less than 60 k
Ω to override this keeper.
Table 17. LVDS DC Electrical Characteristics
DC Electrical Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Output Differential Voltage
VOD
Rload=100
Ω
padP, –padN
250
350
450
mV
Output High Voltage
VOH
1.25
1.375
1.6
V
Output Low Voltage
VOL
0.9
1.025
1.25
Offset Voltage
VOS
1.125
1.2
1.375
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