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參數(shù)資料
| 型號： | MBM30LV0128-PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128 M (16 M X 8) BIT NAND-type |
| 中文描述： | 16M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 7/43頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | MBM30LV0128-PFTR |
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MBM30LV0064
7
I
DEVICE BUS OPERATIONS
*1:H: V
IH
, L: V
IL
, X: V
IH
or V
IL
*2:WP should be biased to CMOS high or CMOS low for standby.
*3:When SE is high, spare area is deselected.
*4:If 50h command is input and read/program operation is executed only for spare area, SE must be low at the
command/address input.
*: H: V
IH
, L: V
IL
, X: V
IH
or V
IL
Table 2 Operation Table
*1
Mode
CLE
ALE
CE
WE
RE
SE
WP
Read
Mode
Command Input
H
L
L
H
X
*4
X
Address Input (3 clock)
L
H
L
H
X
*4
X
During Read (Busy)
L
L
L
H
H
L/H
*3
X
Sequential Read & Data Output
L
L
L
H
L/H
*3
X
Program/
Erase
Mode
Command Input
H
L
L
H
X
*4
H
Address Input (2 or 3 clock)
L
H
L
H
X
*4
H
Data Input
L
L
L
H
L/H
*3
H
During Program (Busy)
X
X
X
X
X
L/H
*3
H
During Erase (Busy)
X
X
X
X
X
X
H
Write Protect
X
X
X
X
X
X
L
Stand-by
X
X
H
X
X
0 V/V
CC*2
0 V/V
CC*2
Table 3 Read Mode Operation Status *
Operation
CLE
ALE
CE
WE
RE
I/O0 to I/O7
Power Supply
Output Select
L
L
L
H
L
Data Output
Active
Output Deselect
L
L
L
H
H
High Impedance
Active
Standby
X
X
H
X
X
High Impedance
Standby
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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