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參數(shù)資料
| 型號： | MBM30LV0128-PFTR |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128 M (16 M X 8) BIT NAND-type |
| 中文描述： | 16M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48 |
| 封裝： | PLASTIC, REVERSE, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 15/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | MBM30LV0128-PFTR |
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MBM30LV0064
15
I
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.
DC Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Value
Unit
Min.
Typ.
Max.
Sequential Read Current
I
CC1
t
CYCLE
= 50 ns, CE = V
IL
,
I
OUT
= 0 mA
—
10
20
mA
Command Address Input Current
I
CC3
t
CYCLE
= 50 ns, CE = V
IL
—
10
20
mA
Data Input Current
I
CC4
—
—
10
20
mA
Program Current
I
CC6
—
—
10
20
mA
Erase Current
I
CC7
—
—
10
20
mA
Stand-by Current (TTL)
I
SB1
CE = V
IH
,
WP = SE = 0 V/V
CC
—
—
1
mA
Stand-by Current (CMOS)
I
SB2
CE = V
CC
–0.2 V,
WP = SE = 0 V/ V
CC
—
10
50
μA
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
= 0 to 3.6 V
—
—
±10
μA
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
= 0 to 3.6 V
—
—
±10
μA
Input High Voltage
V
IH
I/O pins
2.0
—
V
CC
q
+0.3
V
Except I/O pins
2.0
—
V
CC
+0.3
V
Input Low Voltage
V
IL
—
–0.3
—
0.8
V
Output High Voltage Level
V
OH
I
OH
= –400
μ
A
I
OL
= 2.1 mA
2.4
—
—
V
Output Low Voltage Level
V
OL
—
—
0.4
V
Output Low Current (R/B)
I
OL
V
OL
= 0.4 V
8
10
—
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MBM31262801 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical |
| MBM31262802 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Technical |
| MBM31885001 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Information |
| MBM31885002 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Card,Information |
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