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參數(shù)資料
| 型號： | M6MGB160S2BVP |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP |
| 中文描述： | 3.3的CMOS只快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 28/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 258K |
| 代理商： | M6MGB160S2BVP |
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Sep. 1999 , Rev.2.0
MITSUBISHI LSIs
16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT / 2,097,152-WORD BY 8-BIT) CMOS
3.3V-ONLY FLASH MEMORY &
2,097,152-BIT (131,072-WORD BY 16-BIT / 262,144-WORD BY 8-BIT) CMOS SRAM
Stacked-MCP (Multi Chip Package)
M6MGB/T160S2BVP
(4)TIMING DIAGRAMS
t
a
(A)
t
v
(A)
t
a
(OE)
t
en
(OE)
t
dis
(OE)
t
CR
t
en
(CE)
WE# = "H" level
OE#
Read cycle
A
0~16
(Word Mode)
A
-1~16
(Byte Mode)
(Note3)
(Note3)
VALID DATA
t
a
(CE)
t
dis
(CE)
S-CE
(Note3)
(Note3)
DQ
0~15
(Word Mode)
DQ
0~7
(Byte Mode)
t
CW
Write cycle( WE# control mode )
A
0~16
(Word Mode)
A
-1~16
(Byte Mode)
t
en
(W)
t
h
(D)
t
su
(D)
t
en
(OE)
t
dis
(OE)
t
w
(W)
t
rec
(W)
t
su
(A)
t
dis
(W)
OE#
WE#
DATA IN
STABLE
t
su
(A-WH)
S-CE
(Note3)
(Note3)
t
su
(CE)
DQ
0~15
(Word Mode)
0~7
(Byte Mode)
28
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PDF描述 |
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| M6MGB162S2BVP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT ) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY |
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