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參數(shù)資料
| 型號： | KMM5362205C2WG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| 中文描述： | 200萬× 36的DRAM上海藥物研究所和4M使用1Mx16四中科院江戶，一千刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 14/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | KMM5362205C2WG |
DRAM MODULE
KMM5362205C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 14 -
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NOTE : D
OUT
= OPEN
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| KMM53632000CK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1, 4K Refresh, 5V |
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| KMM53632004BK | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 36 DRAM SIMM Using 16Mx4 & 16Mx1 4K Refresh, 5V |
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