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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KMM5362205C2WG |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2M x 36 DRAM SIMM using 1Mx16 and 4M Quad CAS EDO, 1K Refresh |
| 中文描述： | 200萬× 36的DRAM上海藥物研究所和4M使用1Mx16四中科院江戶，一千刷新 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/17頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 296K |
| 代理商： | KMM5362205C2WG |
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DRAM MODULE
KMM5362205C2W/C2WG
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
- 12 -
Don
′
t care
RAS - ONLY REFRESH CYCLE*
NOTE : W, OE, D
IN
= Don't care
Undefined
D
OUT
= OPEN
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
ROW
ADDR
t
RC
t
RP
t
ASR
t
CRP
t
RAS
t
RAH
t
RPC
t
CRP
OPEN
CAS - BEFORE - RAS REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don't care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RP
t
RAS
t
RPC
t
CP
t
RPC
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CSR
t
CHR
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V
OH
-
V
OL
-
DQ
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
* In RAS-only refresh cycle of 64Mb A-dile & B-die, when CAS signal transits from Low to High, the valid data may be cut off.
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PDF描述 |
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