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參數資料
| 型號： | K9W8G08U1M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M × 8位/ 256M × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數： | 19/38頁 |
| 文件大小： | 601K |
| 代理商： | K9W8G08U1M |
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FLASH MEMORY
19
K9K4G08U0M
K9K4G16Q0M
K9K4G16U0M
K9K4G08Q0M
Serial Access Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
R/B
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
REA
t
RR
t
OH
t
REA
t
REH
t
REA
t
OH
t
RHZ*
≈
≈
≈
≈
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
t
CEA
I/Ox
t
CHZ*
t
RHZ*
Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
DIN 0
DIN 1
DIN final*
ALE
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
WP
t
WP
≈
≈
≈
I/Ox
≈
≈
≈
NOTES :
DIN final means 2112(X8) or 1056(X16)
t
ALS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K8G08U0M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9WAG08U1M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9S2808V0B | TV 29C 29#16 PIN RECP |
| K9S6408V0B | SmartMedia CARD |
| K9S6408V0C | SmartMedia CARD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K9W8G08U1M-PCB000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9WAG08U0D-S | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY 256*8 4Gb D-die NAND Flash Single-Level-Cell (1bit/cell) |
| K9WAG08U1A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9WAG08U1A_067 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9WAG08U1A-I | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory |
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