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參數(shù)資料
| 型號： | K9W8G08U1M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bit / 256M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M × 8位/ 256M × 16位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 18/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 601K |
| 代理商： | K9W8G08U1M |
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FLASH MEMORY
18
K9K4G08U0M
K9K4G16Q0M
K9K4G16U0M
K9K4G08Q0M
NOTE
Device
I/O
DATA
ADDRESS
I/Ox
Data In/Out
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
Row Add3
K9K4G08XXM(X8)
I/O 0 ~ I/O 7
~2112byte
A0~A7
A8~A11
A12~A19
A20~A27
A28~A29
K9K4G16XXM(X16)
I/O 0 ~ I/O 15
~1056word
A0~A7
A8~A10
A11~A18
A19~A26
A27~A28
K9K4G16X0M : I/O
8
~
15 must be set to "0"
K9K4G16X0M : I/O
8
~
15 must be set to "0"
Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
Command
Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
I/Ox
CE
WE
CLE
ALE
Col. Add1
t
CS
t
WC
t
WP
t
ALS
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
DS
t
DH
t
WP
I/Ox
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
t
WC
t
WH
t
ALH
t
ALS
t
DS
t
DH
Row Add3
t
ALH
t
CLS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K8G08U0M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9WAG08U1M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9S2808V0B | TV 29C 29#16 PIN RECP |
| K9S6408V0B | SmartMedia CARD |
| K9S6408V0C | SmartMedia CARD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9W8G08U1M-PCB000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9WAG08U0D-S | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY 256*8 4Gb D-die NAND Flash Single-Level-Cell (1bit/cell) |
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| K9WAG08U1A-I | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory |
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