參數(shù)資料
型號(hào)： K4N56163QF-GC37
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 70/73頁(yè)
文件大?。?/td> 1262K
代理商： K4N56163QF-GC37
- 70 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Table 1.
Full Strength Default Pulldown Driver Characteristics
Figure 1.
gDDR2 Default Pulldown Characteristics for Full Strength Driver
Pulldown Current (mA)
Voltage (V)
Minimum (23.4 Ohms)Low (18 ohms)
Nominal Default
High (18 ohms)
Maximum (12.6 Ohms)
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
8.5
12.1
14.7
16.4
17.8
18.6
19.0
19.3
19.7
19.9
20.0
20.1
20.2
20.3
20.4
20.6
11.3
16.5
21.2
25.0
28.3
30.9
33.0
34.5
35.5
36.1
36.6
36.9
37.1
37.4
37.6
37.7
37.9
11.8
16.8
22.1
27.6
32.4
36.9
40.9
44.6
47.7
50.4
52.6
54.2
55.9
57.1
58.4
59.6
60.9
15.9
23.8
31.8
39.7
47.7
55.0
62.3
69.4
75.3
80.5
84.6
87.7
90.8
92.9
94.9
97.0
99.1
101.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
VOUT to VSSQ (V)
0
20
40
60
80
100
120
P
Maximum
Nominal
Default
High
Nominal
Default
Low
Minimum
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PDF描述
K4PE68A Transient Voltage Suppressor Diodes
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