參數(shù)資料
型號(hào)： K4N56163QF-GC37
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 55/73頁(yè)
文件大?。?/td> 1262K
代理商： K4N56163QF-GC37
- 55 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Example 3: Burst Read with Auto Precharge Followed by an activation to the Same Bank
(tRC Limit):
RL = 5 (AL = 2, CL = 3, internal tRCD = 3, BL = 4, t
RTP
<= 2 clocks)
Example 4: Burst Read with Auto Precharge Followed by an Activation to the Same Bank
(tRP Limit):
RL = 5 (AL = 2, CL = 3, internal tRCD = 3, BL = 4, t
RTP
<= 2 clocks)
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
AL = 2
CL =3
RL = 5
DQS
Activate
Bank A
> = t
RP
A10 = 1
Auto Precharge Begins
CL =3
> = t
RC
NOP
> = tRas(min)
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ’s
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A
Post CAS
AL = 2
CL =3
RL = 5
DQS
Activate
Bank A
> = t
RP
A10 = 1
Auto Precharge Begins
CL =3
> = t
RC
NOP
> = tRas(min)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4PE68A Transient Voltage Suppressor Diodes
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K4R441869A 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
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