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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4N56163QF-GC37 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 41/73頁 |
| 文件大小： | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF-GC37 |
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- 41 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Seamless Burst Read Operation: RL = 5, AL = 2, and CL = 3, BL=4
The seamless burst read operation is supported by enabling a read command at every other clock for BL = 4 operation,
and every 4 clock for BL = 8 operation. This operation is allowed regardless of same or different banks as long as the
banks are activated.
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
DQs
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
READ A0
Post CAS
AL = 2
CL =3
RL = 5
DQS
DOUT A
4
DOUT A
5
DOUT A
6
READ A4
Post CAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| K4R271669A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R271669A-N(M)CK7 | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R441869A | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
| K4R441869A-N(M)CG6 | 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4P24V3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
| K4P-24V-3 | 制造商:AROMAT 功能描述:REPLAY 700 OHM |
| K4P2G324ED-AGC1000 | 制造商:Samsung 功能描述:K4P2G324ED-AGC1000 - Trays |
| K4P4G324EB-AGC1000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:MOBILE DDR2-P SDRAM - Trays |
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