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參數資料
| 型號： | K4J55323QF-GC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數： | 35/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1027K |
| 代理商： | K4J55323QF-GC |
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256M GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC
Rev 1.8 (Apr. 2005)
Random WRITE Cycles
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
NOP
WRITE
NOP
NOP
WRITE
T0
T1
T3
T3n
T4
T5
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
Bank
Col b
t
DQSS
(NOM)
NOP
T4n
T5n
T6
DQ
DM
WDQS
T2
T6n
T7
NOP
DI
b
DI
x
Bank
Col x
WRITE
Bank
Col g
DI
b
DI
b
DI
b
DI
x
DI
x
DI
x
DI
g
DI
g
1. DI b, etc. = data-in for column b, etc.
2. b: etc. = the next data - in following DI b. etc., according to the programmed burst order.
3. Programmed burst length = 4 cases shown.
4. Each WRITE command may be to any bank.
5. Last write command will have the rest of the nibble on T8 and T8n
6. Write latency is set to 3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC14 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC15 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC16 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC20 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4M51163LE | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC15 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
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