參數(shù)資料
型號(hào)： K4J55323QF-GC
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit GDDR3 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR3 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 34/49頁(yè)
文件大?。?/td> 1027K
代理商： K4J55323QF-GC
- 34 -
256M GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC
Rev 1.8 (Apr. 2005)
Nonconsecutive WRITE to WRITE
DON’DI
b
NOP
NOP
NOP
WRITE
NOP
WRITE
T0
T1
T3
T3n
T4
T5
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
Bank,
Col b
NOP
T4n
T5n
T6
DQ
DM
DI
b
WDQS
T2
T6n
T7
NOP
DI
n
Bank,
Col n
t
DQSS
(NOM)
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
NOTE
:
1. DI b, etc. = data-in for column b, etc.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.
3. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI n.
4. burst of 4 is shown.
5. Each WRITE command may be to any bank.
6. Write latency is set to 3
DI
b
DI
b
DI
n
DI
n
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4J55323QF-GC14 256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC15 256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC16 256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC20 256Mbit GDDR3 SDRAM
K4M51163LE 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4J55323QF-GC14 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC15 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC16 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC20 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
K4J55323QG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*