- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373063 > K4J55323QF-GC (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256Mbit GDDR3 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4J55323QF-GC |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR3 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 25/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 1027K |
| 代理商： | K4J55323QF-GC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁當(dāng)前第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
- 25 -
256M GDDR3 SDRAM
K4J55323QF-GC
Rev 1.8 (Apr. 2005)
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ
T0
T7
T8
T9
T9n
T10
T11
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 9
DO
n
1. DO
n
=data-out from column
n
.
2. Burst length = 4
3. Three subsequent elements of data-out appear in the programmed order following DQ
n
.
4. Shown with nominal t
AC
and t
DQSQ.
5. RDQS will start driving high 1/2 clock cycle prior to the first falling edge.
NOTE :
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
READ Burst
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
READ
T0
T7
T8
T8n
T9
T9n
T10
T11
/CK
CK
COMMAND
ADDRESS
RDQS
DQ
Bank a,
Col n
CL = 8
DO
n
～～
～～
～～
～
～～
～～
～～
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC14 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC15 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC16 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC20 | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4M51163LE | 8M x 16Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 54FBGA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4J55323QF-GC14 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC15 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC16 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QF-GC20 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
| K4J55323QG | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit GDDR3 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。