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參數(shù)資料
| 型號： | K4E641612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內存 |
| 文件頁數(shù)： | 12/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | K4E641612D |
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CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
N O T E : D
IN
= O P E N
UPPER BYTE READ CYCLE
R A S
V
IH
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C O L U M N
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D Q 8 ~ D Q 1 5
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R C S
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661612D | CMOS DRAM |
| K4E660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E641612D-TC6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:4M X 16bit CMOS dynamic RAM with extended data out |
| K4E660411D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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