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參數(shù)資料
| 型號： | K4E641612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內存 |
| 文件頁數(shù)： | 5/36頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | K4E641612D |
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CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
CAPACITANCE
(T
A
= 2 5
°
C, V
CC
= 3 . 3 V , f = 1 M H z )
Parameter
Symbol
Min
M a x
Units
I n p u t c a p a c i t a n c e [ A 0 ~ A 1 2 ]
C
IN1
-
5
pF
I n p u t c a p a c i t a n c e [R A S , U C A S , L C A S, W , O E ]
C
IN2
-
7
pF
O u t p u t c a p a c i t a n c e [ D Q 0 - D Q 1 5 ]
C
DQ
-
7
pF
AC CHARACTERISTICS
(-40
°
C
≤
T
A
≤
8 5
°
C , S e e n o t e 2 )
Test condition : V
CC
= 3 . 3 V
±
0.3V, Vih/Vil=2.2/0.7V, Voh/Vol=2.0/0.8V
Parameter
Symbol
-45
-50
-60
Unit
s
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
R a n d o m r e a d o r w r i t e c y c l e t i m e
t
R C
74
8 4
1 0 4
n s
R e a d - m o d i f y - w r i t e c y c l e t i m e
t
R W C
1 0 1
1 1 3
1 3 8
n s
A c c e s s t i m e f r o m R A S
t
R A C
4 5
50
6 0
n s
3,4,10
A c c e s s t i m e f r o m C A S
t
C A C
1 2
13
1 5
n s
3,4,5
A c c e s s t i m e f r o m c o l u m n a d d r e s s
t
AA
2 3
25
3 0
n s
3 , 1 0
C A S to output in Low-Z
t
CLZ
3
3
3
n s
3
Output buffer turn-off delay from C A S
t
C E Z
3
1 3
3
13
3
1 3
n s
6 , 2 0
O E to output in Low-Z
t
OLZ
3
3
3
n s
3
Transition time (rise and fall)
t
T
1
5 0
1
50
1
5 0
n s
2
R A S p r e c h a r g e t i m e
t
R P
25
3 0
40
n s
R A S pulse width
t
R A S
45
10K
5 0
1 0 K
60
10K
n s
R A S h o l d t i m e
t
R S H
8
8
10
n s
C A S h o l d t i m e
t
C S H
35
3 8
40
n s
C A S pulse width
t
C A S
7
5 K
8
1 0 K
10
10K
n s
R A S to C A S d e l a y t i m e
t
RCD
11
3 3
1 1
37
14
4 5
n s
4
R A S t o c o l u m n a d d r e s s d e l a y t i m e
t
R A D
9
2 2
9
25
12
3 0
n s
1 0
C A S to R A S p r e c h a r g e t i m e
t
C R P
5
5
5
n s
R o w a d d r e s s s e t - u p t i m e
t
ASR
0
0
0
n s
R o w a d d r e s s h o l d t i m e
t
R A H
7
7
10
n s
C o l u m n a d d r e s s s e t - u p t i m e
t
ASC
0
0
0
n s
1 3
C o l u m n a d d r e s s h o l d t i m e
t
C A H
7
7
10
n s
1 3
C o l u m n a d d r e s s t o R A S l e a d t i m e
t
R A L
23
2 5
30
n s
R e a d c o m m a n d s e t - u p t i m e
t
R C S
0
0
0
n s
R e a d c o m m a n d h o l d t i m e r e f e r e n c e d t o C A S
t
RCH
0
0
0
n s
8
R e a d c o m m a n d h o l d t i m e r e f e r e n c e d t o R A S
t
RRH
0
0
0
n s
8
W r i t e c o m m a n d h o l d t i m e
t
W C H
7
7
10
n s
W r i t e c o m m a n d p u l s e w i d t h
t
W P
6
7
10
n s
W r i t e c o m m a n d t o R A S l e a d t i m e
t
R W L
8
8
10
n s
W r i t e c o m m a n d t o C A S l e a d t i m e
t
C W L
7
7
10
n s
1 6
D a t a s e t - u p t i m e
t
D S
0
0
0
n s
9 , 1 9
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661612D | CMOS DRAM |
| K4E660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E641612D-TC6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:4M X 16bit CMOS dynamic RAM with extended data out |
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| K4E660411D-JC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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