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參數(shù)資料
| 型號： | K4E641612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 11/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | K4E641612D |
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CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
N O T E : D
IN
= O P E N
LOWER BYTE READ CYCLE
R A S
V
IH
-
V
IL
-
L C A S
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
O E
V
IH
-
V
IL
-
V
OH
-
V
OL
-
D Q 0 ~ D Q 7
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
R C
t
RP
t
CSH
t
RSH
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CAS
t
RCD
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RAL
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RAD
t
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DATA-OUT
t
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V
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O P E N
V
O H
-
V
OL
-
D Q 8 ~ D Q 1 5
t
R C S
t
OLZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661612D | CMOS DRAM |
| K4E660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E640812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K4E660411D-JC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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