參數(shù)資料
型號(hào)： K4E641612D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： CMOS DRAM
中文描述： 的CMOS內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 16/36頁(yè)
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代理商： K4E641612D
CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
R A S
V
IH
-
V
IL
-
U C A S
V
IH
-
V
IL
-
A
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V
IL
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W
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ROW
ADDRESS
t
RAS
t
R C
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t
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RSH
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t
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WORD WRITE CYCLE ( O E CONTROLLED WRITE )
N O T E : D
OUT
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U n d e f i n e d
L C A S
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
D Q 0 ~ D Q 7
V
IH
-
V
IL
-
D Q 8 ~ D Q 1 5
t
C R P
t
RSH
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t
CAS
t
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RWL
t
W P
t
C W L
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D H
t
D H
DATA-IN
COLUMN
ADDRESS
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OEH
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OED
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DS
t
DS
DATA-IN
t
CSH
t
CAH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E661612D CMOS DRAM
K4E660412D 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E640412D 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E660812B 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E640812B 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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參數(shù)描述
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