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參數(shù)資料
| 型號： | JANSR2N7269 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Radiation Hardened Power MOSFET(功率MOS場效應管) |
| 中文描述： | 輻射加固功率MOSFET（功率馬鞍山場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 271K |
| 代理商： | JANSR2N7269 |
www.irf.com
7
Radiation Characteristics
IRHM7250, JANSR2N7269
Fig 16.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 17.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads(Si)
Fig 14.
Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 15.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Note: Bias Conditions during radiation: V
GS
= 0 Vdc, V
DS
= 160 Vdc
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