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參數(shù)資料
| 型號： | JANSR2N7269 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Radiation Hardened Power MOSFET(功率MOS場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 輻射加固功率MOSFET（功率馬鞍山場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | JANSR2N7269 |
4
www.irf.com
IRHM7250, JANSR2N7269
Pre-Irradiation
Fig 2.
Typical Response of On-State Resistance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 1.
Typical Response of Gate Threshhold
Voltage Vs. Total Dose Exposure
Fig 3.
Typical Response of Transconductance
Vs. Total Dose Exposure
Fig 4.
Typical Response of Drain to Source
Breakdown Vs. Total Dose Exposure
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PDF描述 |
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