參數(shù)資料
型號(hào)： JANSR2N7269
廠商： International Rectifier
英文描述： Radiation Hardened Power MOSFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 輻射加固功率MOSFET（功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大?。?/td> 271K
代理商： JANSR2N7269
www.irf.com
11
Pre-Irradiation
IRHM7250, JANSR2N7269
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 29b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 29a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 28c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 28b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 28a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
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PDF描述
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