- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384553 > JANSR2N7269 (International Rectifier) Radiation Hardened Power MOSFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | JANSR2N7269 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Radiation Hardened Power MOSFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 輻射加固功率MOSFET（功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 271K |
| 代理商： | JANSR2N7269 |
6
www.irf.com
IRHM7250, JANSR2N7269
Pre-Irradiation
Radiation Characteristics
Fig 11.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 100K Rads (Si)
Fig 10.
Typical Output Characteristics
Pre-Irradiation
Fig 12.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 300K Rads (Si)
Fig 13.
Typical Output Characteristics
Post-Irradiation 1 Mega Rads(Si)
Note: Bias Conditions during radiation: V
GS
= 12 Vdc, V
DS
= 0 Vdc
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| JANSR2N7383 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| JANSR2N7389 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| JANSR2N7390 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| JANSR2N7424 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| JANSR2N7426U | RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| JANSR2N7269U | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk |
| JANSR2N7270 | 制造商:International Rectifier 功能描述:500V 11.000A HEXFET RADHARD - Rail/Tube |
| JANSR2N7270U | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk |
| JANSR2N7292 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| JANSR2N7380 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR, HEXFE N CHANNEL - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。