參數(shù)資料
型號: JANSR2N7269
廠商: International Rectifier
英文描述: Radiation Hardened Power MOSFET(功率MOS場效應管)
中文描述: 輻射加固功率MOSFET(功率馬鞍山場效應管)
文件頁數(shù): 10/12頁
文件大小: 271K
代理商: JANSR2N7269
10
www.irf.com
IRHM7250, JANSR2N7269
Pre-Irradiation
Fig 26a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 26b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
12V
+
-
V
DD
Fig 27.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 26.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
相關PDF資料
PDF描述
JANSR2N7383 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
JANSR2N7389 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
JANSR2N7390 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
JANSR2N7424 HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管)
JANSR2N7426U RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
JANSR2N7269U 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk
JANSR2N7270 制造商:International Rectifier 功能描述:500V 11.000A HEXFET RADHARD - Rail/Tube
JANSR2N7270U 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL HEXFET RHD QPL - Bulk
JANSR2N7292 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
JANSR2N7380 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR, HEXFE N CHANNEL - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: