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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB39S64160AT-10 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP-54 |
| 文件頁數(shù)： | 8/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | HYB39S64160AT-10 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
8
12.99
DQM
LDQM
UDQM
Input
Pulse
Active
High
The Data Input/Output mask places the DQ buffers in a
high impedance state when sampled high. In Read mode,
DQM has a latency of two clock cycles and controls the
output buffers like an output enable. In Write mode, DQM
has a latency of zero and operates as a word mask by
allowing input data to be written if it is low but blocks the
write operation if DQM is high.
One DQM input it present in
×
4 and
×
8 SDRAMs, LDQM
and UDQM controls the lower and upper bytes in
×
16
SDRAMs.
V
DD
V
SS
Supply
–
–
Power and ground for the input buffers and the core logic.
V
DDQ
V
SSQ
Supply –
–
Isolated power supply and ground for the output buffers to
provide improved noise immunity.
V
REF
Input
Level
–
Reference voltage for SDRAM versions supporting SSTL
interface
Signal Pin Description
(cont’d)
Pin
Type
Signal Polarity Function
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S64800 | 64 MBit Synchronous DRAM |
| HYB41256 | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64160AT-5.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
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