參數資料
型號： HYB39S64160AT-10
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 64 MBit Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, TSOP-54
文件頁數： 26/53頁
文件大?。?/td> 418K
代理商： HYB39S64160AT-10
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
25
5. Burst Write Operation
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
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PDF描述
HYB39S64800 64 MBit Synchronous DRAM
HYB41256 Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
HYB41256-10 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-12 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-15 262,144 BIT DYNAMIC RAM
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參數描述
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