參數(shù)資料
型號(hào)： HYB39S64160AT-10
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 64 MBit Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, TSOP-54
文件頁(yè)數(shù)： 25/53頁(yè)
文件大小： 418K
代理商： HYB39S64160AT-10
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
24
4 2. Minimum Read to Write Interval
4. 3. Non-Minimum Read to Write Interval
the Write Command
Must be Hi-Z before
Activate
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
CLK
DQM
Command
NOP
T0
T1
Bank A
NOP
DQZ
t
T2
T3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
SPT03939
DIN A3
1 Clk Interval
Read A
Write A
T4
T5
NOP
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
NOP
CAS
latency = 3
t
, DQ’s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB39S64800 64 MBit Synchronous DRAM
HYB41256 Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
HYB41256-10 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-12 262,144 BIT DYNAMIC RAM
HYB41256-15 262,144 BIT DYNAMIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB39S64160AT-5.5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HYB39S64160AT-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HYB39S64160AT-7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HYB39S64160AT-7.5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM
HYB39S64160AT-8 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM
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