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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S64160AT-10 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP-54 |
| 文件頁數(shù)： | 22/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | HYB39S64160AT-10 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
21
Timing Diagrams
(cont’d)
18. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
19. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
19.2 CAS Latency = 3
20. Full Page Read Cycle
20.1 CAS Latency = 2
20.2 CAS Latency = 3
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
21.2 CAS Latency = 3
22. Precharge Termination of a Burst
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S64800 | 64 MBit Synchronous DRAM |
| HYB41256 | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64160AT-5.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
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