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參數(shù)資料
| 型號： | HYB39S64160AT-10 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64 MBit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP-54 |
| 文件頁數(shù)： | 31/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | HYB39S64160AT-10 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
30
9.2 AC Parameters for a Read Timing
AC2
t
LZ
Hi-Z
DQ
Activate
Command
Bank A
Read with
Auto Precharge
Bank A
Command
DQM
Addr.
AP
t
RCD
t
t
AS
RAx
RAx
t
AH
CAx
RRD
t
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Activate
Command
Bank B
Ax1
Ax0
Bx0
Activate
Command
Bank A
SPT03911
Bx1
t
AC2
OH
t
HZ
t
t
RAS
RC
t
RBx
RBx
RBx
HZ
t
RAy
RAy
T5
t
t
BS
WE
CAS
RAS
t
CS
CKE
CKS
t
CH
t
t
CS
CH
CL
CK2
CLK
T0
T1
T2
T3
T4
Precharge
Bank A
Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
t
CKH
Burst Length = 2, CAS Latency = 2
T6
T7
T8
T10
T9
T11
T13
T12
RP
t
Precharge
Command
Bank A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB39S64800 | 64 MBit Synchronous DRAM |
| HYB41256 | Wirewound Inductor; Inductor Type:Standard; Inductance:10nH; Inductance Tolerance:+/- 5 %; Current Rating:400mA; Series:CM160808; Package/Case:0603; Core Material:Alumina Ceramic; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No |
| HYB41256-10 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-12 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
| HYB41256-15 | 262,144 BIT DYNAMIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S64160AT-5.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HYB39S64160AT-8 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:64 MBit Synchronous DRAM |
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