參數(shù)資料
型號(hào): HYB25D512800AT-7
英文描述: ?512Mb (64Mx8) DDR266A (2-3-3)?
中文描述: ?的512Mb(64Mx8)DDR266A(2-3-3)?
文件頁(yè)數(shù): 69/76頁(yè)
文件大?。?/td> 1218K
代理商: HYB25D512800AT-7
2002-05-06
Page 6
9
of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Bank Read Access (Burst Length = 4)
t
H
(
t
L
Z
(
t
H
(
t
R
t
L
Z
(
t
I
H
t
I
t
I
H
t
I
t
I
H
t
I
t
I
H
t
I
t
I
H
t
I
t
C
t
C
H
t
C
R
N
O
P
E
N
O
N
O
A
N
O
N
O
B
B
*
V
N
O
A
R
R
B
D
C
C
C
E
C
A
B
D
D
D
D
D
t
D
(
t
R
E
C
t
R
E
D
C
t
A
/
D
=
C
t
A
/
D
=
t
R
t
A
(
t
L
Z
(
t
D
(
t
A
(
D
C
R
A
N
K
R
O
N
N
K
D
B
t
R
D
3
D
*
'
t
i
P
E
N
O
t
R
A
9
,
t
R
t
R
t
L
Z
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512800AT-8 ?512Mb (64Mx8) DDR200 (2-2-2)?
HYB25M128160C-653 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-745 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-840 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-845 RAMBUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述:
HYB25L256160AC-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25L512160AC-7.5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk