參數(shù)資料
型號(hào)： HYB25D512800AT-7
英文描述： ?512Mb (64Mx8) DDR266A (2-3-3)?
中文描述： ？的512Mb（64Mx8）DDR266A（2-3-3）？
文件頁(yè)數(shù)： 45/76頁(yè)
文件大小： 1218K
代理商： HYB25D512800AT-7
2002-05-06
Page 45 of 76
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Truth Table 2: Clock Enable (CKE)
1. CK
E
n is the logic state of CK
E
at clock edge n: CK
E
n-1 was the state of CK
E
at the previous clock edge.
2. Current state is the state of the DDR SDRAM immediately prior to clock edge n.
3. COMMA
N
D n is the command registered at clock edge n, and ACTIO
N
n is a result of COMMA
N
D n.
4. All states and sequences not shown are illegal or reserved.
Current State
CK
E
n-1
CK
E
n
Command n
Action n
N
otes
Previous
Cycle
Current
Cycle
Self Refresh
L
L
X
Maintain Self-Refresh
Self Refresh
L
H
Deselect or
N
OP
E
xit Self-Refresh
1
Power Down
L
L
X
Maintain Power-Down
Power Down
L
H
Deselect or
N
OP
E
xit Power-Down
All Banks Idle
H
L
Deselect or
N
OP
Precharge Power-Down
E
ntry
All Banks Idle
H
L
AUTO R
E
FR
E
S
H
Self Refresh
E
ntry
Bank(s) Active
H
L
Deselect or
N
OP
Active Power-Down
E
ntry
H
H
See “Truth Table 3: Current State
Bank n - Command to Bank n
(Same Bank)” on page 46
1. Deselect or
N
OP commands should be issued on any clock edges occurring during the Self Refresh
E
xit (t
X
S
N
R
) period. A mini-
mum of 200 clock cycles are needed before applying a read command to allow the DLL to lock to the input clock.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512800AT-8 ?512Mb (64Mx8) DDR200 (2-2-2)?
HYB25M128160C-653 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-745 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-840 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-845 RAMBUS DRAM
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參數(shù)描述
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線(xiàn)串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線(xiàn)串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述:
HYB25L256160AC-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25L512160AC-7.5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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