參數(shù)資料
型號: HYB25D512800AT-7
英文描述: ?512Mb (64Mx8) DDR266A (2-3-3)?
中文描述: ?的512Mb(64Mx8)DDR266A(2-3-3)?
文件頁數(shù): 24/76頁
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代理商: HYB25D512800AT-7
HYB25D128400/800/160AT(L)
128-Mbit Double Data Rate SDRAM
Page 24 of 76
2002-05-06
Random Read Accesses: CAS Latencies (Burst Length = 2, 4 or 8)
DOa-n
CAS Latency = 2
Read
Read
Read
N
OP
N
OP
Read
DOa-b
DOa-n
'
DOa-x
DOa-x
'
DOa-b’
DOa-g
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
DO a-n, etc. = data out from bank a, column n etc.
n
'
etc. = odd or even complement of n, etc. (i.e., column address LSB inverted).
Reads are to active rows in any banks.
Shown with nominal t
AC
, t
DQSCK
, and t
DQSQ
.
Don’t Care
BAa, COL n
BAa, COL x
BAa, COL b
BAa, COL g
CL=2
DOa-n
CAS Latency = 2.5
Read
Read
Read
N
OP
N
OP
Read
DOa-b
DOa-n
'
DOa-x
DOa-x
'
DOa-b’
CK
CK
Command
Address
DQS
DQ
BAa, COL n
BAa, COL x
BAa, COL b
BAa, COL g
CL=2.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB25D512800AT-8 ?512Mb (64Mx8) DDR200 (2-2-2)?
HYB25M128160C-653 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-745 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-840 RAMBUS DRAM
HYB25M128160C-845 RAMBUS DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB25D512800CE-5 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25D512800CE-6 功能描述:IC DDR SDRAM 512MBIT 66TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB25DC512160CE-5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:QIMONDA 功能描述:
HYB25L256160AC-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
HYB25L512160AC-7.5 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk