參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 27/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3S
Data Sheet
27
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
3
Functional Description
3.1
Simplified State Diagram
Figure 7
Simplified State Diagram
Note:This Simplified State Diagram is intended to
provide a floorplan of the possible state
transitions and the commands to control them. In
particular situations involving more than one
bank, enabling / disabling on-die termination,
Power-Down entry / exit, timing restrictions
during state transitions - among other things - are
not captured in full detail.
-0&4
!UTOMATIC 3EQUENCE
#OMMAND 3EQUENCE
0RECHARGING
7RITING
WITH !0
0RECHARGE
0OWER
$OWN
/#$
CALIBRATION
2EADING WITH
!0
72!
2$!
72!
2$!
2EAD
7RITE
020 2!
020 2!
020 2!
2$!
2EAD
7RITE
7RITING
2EADING
7RITE
2EAD
!CTIVE 0OWER
$OWN
"ANK
!CTIVE
#+%,
#+%(
!CTIVATING
#+%,
#+%,
% -23
3ETTING
-23 OR
%-23
!#4
02
#+%,
3ELF
2EFRESH
32&
#+%(
2%&
#+%,
2EFRESHING
#+%,
)DLE
!LL BANKS
PRECHARGED
#+%,
#+%(
)NITIALIZATION
3EQUENCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128160AT7 制造商:INFINEON 功能描述:New
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