參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 25/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3S
Data Sheet
25
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Pin Configuration and Block Diagrams
Figure 5
Block Diagram 16 Mbit
×
8 I/O
×
4 Internal Memory Banks
Note:
1. 64Mb
×
8 Organisation with 14 Row, 2 Bank and 10
Column External Adresses
2. This Functional Block Diagram is intended to
facilitate user understanding of the operation of the
device; it does not represent an actual circuit
implementation.
3. DM is a unidirectional signal (input only), but is
internally loaded to match the load of the
bidirectional DQ and DQS signals.
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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