參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512800AF-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 109/117頁(yè)
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512800AF-3S
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Data Sheet
109
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC Timing Measurement Conditions
Figure 77
Slew Rate Definition Tangent
6
33
6
), AC
MAX
6
), DC
MAX
6
2%&
6
)( DC
MIN
6
$$1
6
)( AC
MIN
$ELTA 4&3
$ELTA 42(
$ELTA 4&(
$ELTA 423
DC TO 6REF
REGION
DC TO 6REF
REGION
62%& TO AC
REGION
62%& TO AC
REGION
TANGENT LINE
NOMINAL LINE
#+ #+ FOR T)3 AND T)(
$13 $13 FOR T$3 AND T$(
T
)3
T
$3
T
)(
T
$(
T
)3
T
$3
T
)(
T
$(
3ETUP 3LEW 2ATE
TANGENT LINE ;62%& DC
6), AC MAX=
$ELTA 4&3
3ETUP 3LEW 2ATE
TANGENT LINE ;6)( AC MIN 62%& DC =
$ELTA 423
(O LD 3LEW 2ATE
TANGENT LINE ;62% & DC
6), DC MAX=
$ELTA 42(
(OLD 3LEW 2ATE
TANGENT LINE ;6)( DC MIN 62%& DC =
$ELTA 4&(
FALLING
SIGNAL
FALLING
SIGNAL
RISING
SIGNAL
RISING
SIGNAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC-37 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128160AT7 制造商:INFINEON 功能描述:New
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