參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512800AC-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 8/96頁
文件大?。?/td> 2153K
代理商： HYB18T512800AC-37
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Overview
Data Sheet
8
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
A 16-bit address bus for
×
4 and
×
8 organised
components and a 15-bit address bus for
×
16
components is used to convey row, column and bank
address information in a RAS-CAS multiplexing style.
The DDR2 device operates with a 1.8 V
±
0.1 V power
supply. An Auto-Refresh and Self-Refresh mode is
provided along with various power-saving power-down
modes.
The functionality described and the timing
specifications included in this data sheet are for the
DLL Enabled mode of operation.
The DDR2 SDRAM is available in P-TFBGA package.
1.3
Ordering Information
Note:For product nomenclature see
Chapter 10
of this data sheet
Table 2
Part Number
Ordering information
Org. Speed
CAS-RCD-RP
Latencies
3–3–3
Clock
(MHz)
200
CAS-RCD-RP
Latencies
—
Clock
(MHz)
—
Package
HYB18T512400AC–5
HYB18T512800AC–5
HYB18T512160AC–5
HYB18T512400AC–3.7
HYB18T512800AC–3.7
HYB18T512160AC–3.7
x4
x8
x16
x4
x8
x16
DDR2–400
P-TFBGA-60-6
P-TFBGA-84-1
P-TFBGA-60-6
DDR2–533
4–4–4
266
3–3–3
200
P-TFBGA-84-1
HYB18T512400AF–5
HYB18T512800AF–5
HYB18T512160AF–5
HYB18T512400AF–3.7
HYB18T512800AF–3.7
HYB18T512160AF–3.7
x4
x8
x16
x4
x8
x16
DDR2–400
3–3–3
200
—
—
P-TFBGA-60-6
P-TFBGA-84-1
P-TFBGA-60-6
DDR2–533
4–4–4
266
3–3–3
200
P-TFBGA-84-1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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