參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512800AC-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： M39012 MIL RF CONNECTOR
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 56/96頁(yè)
文件大小： 2153K
代理商： HYB18T512800AC-37
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Functional Description
Data Sheet
56
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
2.8.3
The following table summarizes the minimum
command delays between Read, Read w/AP, Write,
Read or Write to Precharge Command Spacing Summary
Write w/AP to the Precharge commands to the same
banks and Precharge-All commands.
Table 14
From Command
Minimum Command Delays
To Command
Minimum Delay between “From
Command” to “To Command”
AL + BL/2 + max(
t
RTP
, 2) - 2
Units Notes
READ
PRECHARGE (to same banks as
READ)
PRECHARGE-ALL
PRECHARGE (to same banks as
READ w/AP)
PRECHARGE-ALL
PRECHARGE (to same banks as
WRITE)
PRECHARGE-ALL
PRECHARGE (to same banks as
WRITE w/AP)
PRECHARGE-ALL
PRECHARGE (to same banks as
PRECHARGE)
PRECHARGE-ALL
PRECHARGE
PRECHARGE-ALL
t
CK
1)2)
1)
2)
RU{
t
RTP
(ns) /
t
CK
(ns)} must be used, where RU stands for “Round Up”
For a given bank, the precharge period should be counted from the latest precharge command, either one bank precharge or precharge-
all, issued to that bank. The precharge period is satisfied after
t
RP
or
t
RP, all
depending on the latest precharge command issued to that bank
RU{
t
WR
(ns) /
t
CK
(ns)} must be used, where RU stands for “Round Up”
AL + BL/2 + max(
t
RTP
, 2) - 2
AL + BL/2 + max(
t
RTP
, 2) - 2
t
CK
t
CK
1)2)
READ w/AP
1)2)
AL + BL/2 + max(
t
RTP
, 2) - 2
WL + BL/2 +
t
WR
t
CK
t
CK
1)2)
WRITE
2)3)
3)
WL + BL/2 +
t
WR
WL + BL/2 + WR
t
CK
t
CK
2)3)
WRITE w/AP
2)
WL + BL/2 + WR
1
t
CK
t
CK
2)
PRECHARGE
2)
1
1
1
t
CK
t
CK
t
CK
2)
PRECHARGE-ALL
2)
2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AC-5 M39012 MIL RF CONNECTOR
HYB18T512800AC DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF DDR2 Registered Memory Modules
HYB18T512800AF-37 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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