參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512160AF-3S
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述： 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 86/117頁
文件大?。?/td> 2102K
代理商： HYB18T512160AF-3S
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
86
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
5.6
Reduced Output Drive Characteristics
A driver mode with reduced output drive characteristics can be selected by setting address bit A1 in the EMRS(1)
extended mode register to 1.
Table 38
Voltage (V)
Reduced Strength Default Pull-up Driver Characteristics
Pull-up Driver Current [mA]
Min.
1)
IBIS Target low
2)
0.00
0.00
–1.72
–3.20
–3.44
–6.20
–5.16
–9.04
–6.76
–11.69
–8.02
–14.11
–8.84
–16.27
–9.31
–18.16
–9.64
–19.77
–9.89
–21.10
–10.09
–22.15
–10.26
–22.96
–10.41
–23.61
–10.54
–24.61
–10.66
–24.64
–10.77
–25.07
–10.88
–25.47
–10.98
–25.85
—
–26.21
—
—
1) The driver characteristics evaluation conditions are Minimum 95 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.7 V, slow–slow process
2) The driver characteristics evaluation conditions are Nominal Default 25 °C (
T
CASE
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process
3) The driver characteristics evaluation conditions are Maximum 0 °C (
T
CASE
).
V
DDQ
= 1.9 V, fast–fast process
IBIS Target high
2)
0.00
–3.70
–7.22
–10.56
–13.75
–16.78
–19.61
–22.20
–24.50
–26.46
–28.07
–29.36
–30.40
–31.24
–31.93
–32.51
–33.01
–33.46
–33.89
—
Max.
3)
0.00
–4.77
–9.54
–14.31
–19.08
–23.85
–28.62
–33.33
–37.77
–41.73
–45.21
–48.21
–50.73
–52.77
–54.42
–55.80
–57.03
–58.23
–59.43
–60.63
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512400AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
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