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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF-3S |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 80/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF-3S |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
80
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 65
Differential DC and AC Input and Output Logic Levels Diagram
Table 30
Symbol
V
IN(dc)
V
ID(dc)
V
ID(ac)
V
IX(ac)
Differential DC and AC Input and Output Logic Levels
Parameter
DC input signal voltage
DC differential input voltage
AC differential input voltage
AC differential cross point input
voltage
AC differential cross point output
voltage
Min.
–0.3
0.25
0.5
0.5
×
V
DDQ
– 0.175
Max.
V
DDQ
+ 0.3
V
DDQ
+ 0.6
V
DDQ
+ 0.6
0.5
×
V
DDQ
+ 0.175
Unit
—
—
V
V
Note
1)
1)
V
IN(dc)
specifies the allowable DC execution of each input of differential pair such as CK, CK, DQS, DQS etc.
2)
V
ID(dc)
specifies the input differential voltage
V
TR
–
V
CP
required for switching. The minimum value is equal to
V
IH(dc)
–
V
IL(dc)
.
3)
V
ID(ac)
specifies the input differential voltage
V
TR
–
V
CP
required for switching. The minimum value is equal to
V
IH(ac)
–
V
IL(ac)
.
4) The value of
V
IX(ac)
is expected to equal 0.5
×
V
DDQ
of the transmitting device and
V
IX(ac)
is expected to track variations in
V
DDQ
.
V
IX(ac)
indicates the voltage at which differential input signals must cross.
5) The value of
V
OX(ac)
is expected to equal 0.5
×
V
DDQ
of the transmitting device and
V
OX(ac)
is expected to track variations in
V
DDQ
.
V
OX(ac)
indicates the voltage at which differential input signals must cross.
2)
3)
4)
V
OX(ac)
0.5
×
V
DDQ
– 0.125
0.5
×
V
DDQ
+ 0.125
V
5)
Crossing Point
VDDQ
VSSQ
VID
VIX or VOX
VTR
VCP
SSTL18_3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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